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DRAM价格恐将下跌30%;NAND Flash跌幅更大


在历经逾二年的上涨后,今年记忆体由供应商众多的NAND Flash率先逐季走跌,DRAM则在第三季见到报价高点,第四季确立反转下滑;展望明年第一季进入传统淡季,目前各业者对DRAM价格跌幅看法不一,预计明年整体需求有撑,中美贸易摩擦将是关键性的变数。


十铨总理理陈庆文:
针对明年记忆体价格走势,十铨科技(将以明年1月份在中国台湾上市)总理理陈庆文相对保守看待,目前看DRAM、NAND Flash明年价格将双双跌价,价格跌幅都恐达三成,预计明年上半年价格跌势较为明显,明年第三季起,随着5G带动服务器需求,产业有机会触底反弹,明年下半年价格有机会逐步止跌。

虽明年DRAM、NAND Flash价格看跌,记忆体模组厂难以避免冲击,但十铨明年在电竞、工控运用等成长带动,力拚明年业绩持续比今年成长。展望明年上半年,威刚科技则持不同看法,由于DRAM新产能增加有限,加上电竞、IoT、车载等新需求动能持续成长,预期明年上半年DRAM价格仍将相对稳定。

威刚董事长陈立白:

威刚董事长陈立白日前表示,明年DRAM市场供需状况相对稳定,价格虽不再创新高,仍相对持稳,但NAND Flash制造厂扩产的「军备竞赛」未停止,因此价格跌势恐不输今年。

威刚董事长陈立白分析,明年三大DRAM厂新产能增加有限,加上明年需求在资料中心需求仍强、手机搭载规格提升,以及来自于电竞、IoT、车载等新需求动能持续,整体需求仍成长,预期明年DRAM价格可能是持平或是小跌的态势。

威刚董事长陈立白分析,明年三大DRAM原厂并不会破坏目前市场结构,以延续获利的好成绩,因此对明年DRAM价格看稳或是缓跌。相对而言,NAND Flash原厂高达6~7家,明年所有制造厂仍积极增产,虽预期明年NAND Flash需求也会大幅成长,但在供给端大举增产,因此对明年价格走势看法较保守,预期明年跌幅恐不比今年低。

DRAM价格在第三季已开始反转,整体记忆体市场价格都将在第四季呈现下滑态势。


南亚科总经理李培瑛:

南亚科总经理李培瑛表示,明年DRAM需求仍不悲观,供应商端也理性控制产出,不认为明年在报价上会有剧烈的波动,中美贸易摩擦之国际局势将是影响市场的最大关键因素。

李培瑛分析,全球电子产品走向智慧化,记忆体是最关键的零组件,需求面没有太悲观。供给方面,DRAM供应商现在变得比较理性。预期明年虽有季节性变化,尚不会有急遽跌价的问题,明年DRAM价格预计出现合理的调整,估计会持续缓跌一季或者二季。

南亚科总经理李培瑛指出,受到美中贸易关数以及处理器缺短影响,第四季DRAM需求相对今年上半年保守,且贸易摩擦规模以及延续的时间有多长,需要密切观察。

李培瑛说,明年市场关键在国际局势,贸易摩擦是未知数,尤其在关税部分,在中国大陆的组装厂客户会直接或间接受到影响,需採取一些因应对策,但要将组装产线移到其他国家则需要一点时间。


TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)报告:

根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)报告指出,10月DRAM合约价正式走跌,除了宣告DRAM价格涨势告一段落,供过于求加上高库存水位的影响将导致价格跌势加剧。预期在供给端、通路端、採购端库存尚未去化完全前,2019年第一季的合约价恐将面临更大的跌价压力。

此外,随着3D NAND生产良率渐趋成熟及供给持续增加,第三季NAND Flash旺季不旺,自年初以来的供给过剩难以消弭,NAND Flash各类产品合约价仍走跌,第三季平均价格跌幅达10-15%。

受到欧美节庆备货已大致完成、模组厂及各OEM节制库存,以及中美贸易摩擦持续进行,导致需求持续走弱,预计第四季维持供过于求态势,各类产品合约价跌幅加剧。

内容采编自中国台湾“中时电子报”

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