在历经逾二年的上涨后，今年记忆体由供应商众多的NAND Flash率先逐季走跌，DRAM则在第三季见到报价高点，第四季确立反转下滑；展望明年第一季进入传统淡季，目前各业者对DRAM价格跌幅看法不一，预计明年整体需求有撑，中美贸易摩擦将是关键性的变数。
十铨总理理陈庆文：
针对明年记忆体价格走势，十铨科技(将以明年1月份在中国台湾上市)总理理陈庆文相对保守看待，目前看DRAM、NAND Flash明年价格将双双跌价，价格跌幅都恐达三成，预计明年上半年价格跌势较为明显，明年第三季起，随着5G带动服务器需求，产业有机会触底反弹，明年下半年价格有机会逐步止跌。
虽明年DRAM、NAND Flash价格看跌，记忆体模组厂难以避免冲击，但十铨明年在电竞、工控运用等成长带动，力拚明年业绩持续比今年成长。展望明年上半年，威刚科技则持不同看法，由于DRAM新产能增加有限，加上电竞、IoT、车载等新需求动能持续成长，预期明年上半年DRAM价格仍将相对稳定。
威刚董事长陈立白:
威刚董事长陈立白日前表示，明年DRAM市场供需状况相对稳定，价格虽不再创新高，仍相对持稳，但NAND Flash制造厂扩产的「军备竞赛」未停止，因此价格跌势恐不输今年。
威刚董事长陈立白分析，明年三大DRAM厂新产能增加有限，加上明年需求在资料中心需求仍强、手机搭载规格提升，以及来自于电竞、IoT、车载等新需求动能持续，整体需求仍成长，预期明年DRAM价格可能是持平或是小跌的态势。
威刚董事长陈立白分析，明年三大DRAM原厂并不会破坏目前市场结构，以延续获利的好成绩，因此对明年DRAM价格看稳或是缓跌。相对而言，NAND Flash原厂高达6~7家，明年所有制造厂仍积极增产，虽预期明年NAND Flash需求也会大幅成长，但在供给端大举增产，因此对明年价格走势看法较保守，预期明年跌幅恐不比今年低。
DRAM价格在第三季已开始反转，整体记忆体市场价格都将在第四季呈现下滑态势。
南亚科总经理李培瑛:
南亚科总经理李培瑛表示，明年DRAM需求仍不悲观，供应商端也理性控制产出，不认为明年在报价上会有剧烈的波动，中美贸易摩擦之国际局势将是影响市场的最大关键因素。
李培瑛分析，全球电子产品走向智慧化，记忆体是最关键的零组件，需求面没有太悲观。供给方面，DRAM供应商现在变得比较理性。预期明年虽有季节性变化，尚不会有急遽跌价的问题，明年DRAM价格预计出现合理的调整，估计会持续缓跌一季或者二季。
南亚科总经理李培瑛指出，受到美中贸易关数以及处理器缺短影响，第四季DRAM需求相对今年上半年保守，且贸易摩擦规模以及延续的时间有多长，需要密切观察。
李培瑛说，明年市场关键在国际局势，贸易摩擦是未知数，尤其在关税部分，在中国大陆的组装厂客户会直接或间接受到影响，需採取一些因应对策，但要将组装产线移到其他国家则需要一点时间。
TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)报告:
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)报告指出，10月DRAM合约价正式走跌，除了宣告DRAM价格涨势告一段落，供过于求加上高库存水位的影响将导致价格跌势加剧。预期在供给端、通路端、採购端库存尚未去化完全前，2019年第一季的合约价恐将面临更大的跌价压力。
此外，随着3D NAND生产良率渐趋成熟及供给持续增加，第三季NAND Flash旺季不旺，自年初以来的供给过剩难以消弭，NAND Flash各类产品合约价仍走跌，第三季平均价格跌幅达10-15%。
受到欧美节庆备货已大致完成、模组厂及各OEM节制库存，以及中美贸易摩擦持续进行，导致需求持续走弱，预计第四季维持供过于求态势，各类产品合约价跌幅加剧。
内容采编自中国台湾“中时电子报”